磨削和研磨等磨料處理是生產半導體芯片的必要方式，然而研磨會導致芯片表面的完整性變差。因此，拋光的一致性、均勻性和表面粗糙度對生產芯片來說是十分重要的。

研磨與拋光的區別

研磨利用涂敷或壓嵌在研具上的磨料顆粒，通過研具與工件在 壓力下的相對運動對加工表面進行的精整加工。研磨可用于加工各種金屬和非金屬材料，加工的表面形狀有平面，內、外圓柱面和圓錐面，凸、凹球面，螺紋，齒面及其他型面。加工精度可達IT5～IT1，表面粗糙度可達Ra0.63～0.01微米。

拋光是利用機械、化學或電化學的作用，使工件表面粗糙度降低，以獲得光亮、平整表面的加工方法。

兩者的主要區別在于：拋光達到的表面光潔度要比研磨更高，并且可以采用化學或者電化學的方法，而研磨基本只采用機械的方法，所使用的磨料粒度要比拋光用的更粗，即粒度大。故生產芯片，研磨拋光都是必不可少的一個方式。

一. 研磨處理

利用硬度比被加工材料更高的微米級顆粒，在硬質研磨盤作用下產生微切削，實現被加工芯片表面的微量材料去除，使工件的尺寸精度達到要求。

磨料：研磨液通常使用1微米以上顆粒由表面活性劑、PH調節劑、分散劑等組分組成，各組分發揮著不同的作用。

為了滿足研磨工藝要求，研磨液應具有：

1）良好的懸浮性，短時間內不能產生沉淀，分層等問題。

2）良好的流動性，粘度低，易于操作。

3）稀釋能力強，便于降低成本，方便運輸。

4）研磨工藝后，便于清洗研磨盤。

5)良好的潤滑性，在研磨工藝上降低劃傷點。

研磨時磨料的工作狀態：

1）研磨顆粒在家具與研磨盤之間發生滾動，產生滾軋效果。

2） 研磨顆粒壓入到盤磨盤表面，實現微切削加工。

需要注意的地方：

1）研磨后肉眼觀察無任何劃傷后才可進行拋光，如有劃傷應是研磨料被污染，應清洗盤磨盤、夾具、導流槽等。清洗后再研磨可解決劃傷問題。

2）研磨芯片時如出現一致性較差和均勻性較差，可測量研磨盤平整度，修盤后可解決。

二.拋光處理

利用微細磨料的物理研磨和化學腐蝕，在軟質拋光布輔助作用下，未獲得光滑表面，減小或消除加工變質層，從而獲得表面高質量的加工方法。

拋光布開槽作用：儲存多余拋光液，防止拋光液堆積產生損傷；作為向工件供給拋光液的通道；作為及時排廢屑的通道，防止劃傷。

影響拋光的工藝的因數：拋光盤轉速、夾具壓力、拋光時間以及拋光液的濃度和流速等，如：

1）加工速度過高，會因離心力將拋光液甩出工作區，降低加工穩定性，影響精度。精加工應用低速、低壓力。

2）在范圍內增加夾具壓力可提高拋光效率，壓力減小可減小表面粗糙度。

3）拋光液的濃度增加，拋光速率增加，但可能會引起質量惡化。

4）拋光液的流速過大，會導致橘皮現象。可增加蠕動泵控制流速

拋光后表面如有殘留物，可用清水拋光5分鐘解決臟污問題

值得一提的是，在研磨拋光處理中研磨液和拋光液是極其重要的，其既能提高速率、平整度、一致性，有利于后續清洗，使得研磨粒子不會殘留在粒子表面。